——沉积于其他材料表面，厚度小于1μm，且厚度与长度、宽度相比较几乎可以被忽略的贵金属材料。是一类正在迅速发展的新材料。可用物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）等技术制备。铂及铂合金薄膜主要用溅射，特别是磁控溅射方法制备。采用溅射方法制备贵金属及其合金薄膜时，贵金属及其合金作为靶材，在高能气体离子轰击下，其表面原子脱离靶材，沉于基材表面，形成贵金属薄膜材料。采用化学气相沉积技术时，贵金属化合物以蒸气相的形式被输送到工件表面，通过加热，光解（紫外光或激光）或等离子体作用使化合物分解，沉积于工件表面形成贵金属薄膜材料。以挥发性高，分解温度低的贵金属氟化乙基丙酮化物和环戊二烯基烷基等有机化合物为母体材料的有机金属化合物化学气相沉积（MOCVD）和等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是制备贵金属薄膜材料的新技术。采用MOCVD和PECVD技术可以在基材温度较低的条件下分解化合物，制备的贵金属薄膜材料质量优良，与基材附着良好。主要用于电子工业，人工智能技术，信息技术，汽车工业，建筑行业，能源工业，航天工业，以及首饰、装饰业等领域作功能性薄膜、保护性涂层和装饰性涂层。功能性贵金属薄膜材料：按用途分主要有：（1）电子工业用贵金属薄膜材料。将铂族金属溅射沉积到硅片表面，经加热形成铂族金属硅化物薄膜，如PtSi、Pt2Si、Pd2Si、RhSi、Irsi、Ir2Si3、IrSi3、Ru2Si3等，用于集成电路作金属化材料和互补金属氧化物半导体结构（（CMOS）用材料，其肖特基势垒高度为0.74-0.94eV（在n-型硅上），接触电阻率为28～35t-μΩ•cm；铂或钯与磷、硼、铜、镍、砷、锑、锗、锡等构成的合金薄膜作为p-和n-掺杂的液体金属离子源（LMIS），用于聚焦离子束（FIB）平版印刷硅或砷化镓半导体器件。（2）信息技术用贵金属薄膜材料。钴铂合金膜和铂一过渡族金属（TM）合金膜磁学性能和抗腐蚀性能优良，是理想的磁存储介质材料和薄膜磁头材料；Co／Pt和Co／Pd多层膜具有垂直磁各向异性，高矫顽力和磁-光克耳效应，可望成为高密度可擦重写磁光记录介质材料。（3）传感技术用贵金属薄膜材料。铂膜、钯膜和钯铱合金膜用于探测氢、氨，以及乙醇、乙烯等有机蒸气的金属氧化物半导体（MOS）气体传感器；铂硅和钯硅薄膜用于电荷耦合器件（CCD）和摄像机红外传感器；IrOx薄膜是电化色显示材料。（4）贵金属节能薄膜材料。金膜、银膜因其对红外辐射的反射性能和对可见光的透光性能，沉积于建筑物和汽车窗玻璃表面，可以减少热量通过玻璃的传递，起到节能作用；SnO2／AgCu5／SnO2多层膜具有良好的红外反射和可见光透射特性，也可作节能薄膜使用，而且，经改进后可以透过阳光中紫外线的15%，有助于室内植物生长。保护性涂层材料：铂膜用作磁电机集电极保护性涂层；铂铝化合物薄膜用作高压透平机第一级涡轮叶片保护性涂层；铂膜和金膜用作集成电路抗腐蚀涂层和层问粘结层；金膜用作宇航发动机涡轮叶片或其他物件的表面涂层，起到扩散壁垒作用，防止氢气等气体的渗入。装饰性涂层材料：金、银、铂、钯、铑薄膜广泛用于首饰和装饰业，沉积到贱金属工件表面，起装饰作用。（成都钢铁网）