——电子集成器件。器件和电路连线的尺寸按某种规律缩小，其他有关参数随着相应变化，以达到高性能（速度快、功耗低、集成密度高）指标的硅栅NMOS电路技术，简称HMOS。按比例缩小原则：表按比例缩小后各种参量的变化中数值为MOS器件尺寸和电压等参数缩小□分之一、衬底浓度增大□倍以后，电路性能提高的情况：速度提高□倍、功耗降至1/□□、功耗-延迟乘积降至1/□□。MOS电路尺寸的微细化，对提高超大规模集成电路的性能有很大的作用。此表是按照缩小前后MOS晶体管沟道区电场不变的原则推算出来的（通常称为恒定电场按比例缩小原则）。在实际电路中，希望电源电压保持不变，因此出现了恒压按比例缩小原则。这时所得到的性能改进，比表中所列数值差一些。实际HMOS技术规范并非严格按照某种比例原则制定的，而是要兼顾微细化加工水平、电源电压兼容性、各种次噪效应的抑制、电路的可靠性和成品率等多种因素。微细化：MOS器件的尺寸缩小到一定程度后，会出现一系列的次级效应。①短沟道效应：沟道过短时，开启电压随漏源电压的升高和沟道长度的减小而降低。②窄沟道效应：沟道太窄时，开启电压随沟道宽度的减小而升高。③源、漏穿通：沟道过短并加上一定的□□时，源结和漏结耗尽区会碰在一起，从而引起MOS晶体管源、漏间的穿通。④漏电压对源势垒的调制效应：在源、漏穿通之前，因结耗尽区的靠近，漏电压会使源结的势垒降低，从而增大亚阈值电流，使MOS晶体管失去良好的开关性能。⑤热电子效应：沟道长度缩短到一定程度后，沟道区内的电场变得很强，使电子温度升高。一部分热电子将有可能注入栅介质层并陷落在氧化层的陷阱中，引起开启电压的漂移，从而使长期工作不尽可靠。