金属绝缘体
发布时间：2022-03-02 16:52:38 点击次数：9 文章作者：
——具有极化兼容缓冲层的金属绝缘体半导体结构。塞姆特里克斯公司、松下电子工业株式会社专利技术。一种MIS器件包括半导体基板、氮化硅缓冲层、铁电体金属氧化物超晶格材料和贵金属顶电极。该层状的超晶格材料优选是锶铋钽酸盐、锶铋铌酸盐或锶铋铌钽酸盐。该器件按照一种优选的方法构成，该方法包括在层状超晶格材料沉积之前在该半导体基板上形成氮化硅。该层状超晶格材料优选采用在该前体溶液被加热时自发生成层状超晶格的液体聚烷氧化金属有机前体来沉积。在干燥前体液体期间的UV曝露使最终的晶体具有C－轴取向，并导致改进的薄膜电性能。
