——由金属、氧化物和半导体三种材料组合而成的三层结构。底下一层半导体材料，一般为硅（Si）结晶片，称为基片，可为n型或P型。中间一层氧化物，由底层之硅结晶片氧化而成（SiO2），是一种绝缘材料。最上一层金属薄膜，以真空蒸镀法使铝金属覆盖在氧化层上而成。合称金属氧化物半导体（Metal-Oxide-Semi-conductor），简称金氧半（MOS）。金氧半结构是制造积体电路（IC）的基础。做成的基体电路，主要单位是金氧半场效电晶体（MOSFET），也简称“金氧半”。金氧半场效电晶体有三只端点，分别为源极、汲极和闸极。在覆盖金属薄膜之前，先用蚀刻法以化学药品于适当位置和范围将氧化层去除，露出部分半导体基片。再将裸露部分以杂质扩散法转变成和原来形式相反之半导体，是为源极或汲极。然后覆上金属薄膜，再以化学药品将金属薄膜蚀刻成适当的形状。覆于源极和汲极部分之金属予以保留，做接线之用。源极到汲极之间，氧化层之上，留有一段金属薄膜，不和源极或汲极相连，是为闸极。源极、汲极及中间之闸极即构成一电晶体。闸极之下，源极和汲极之间，属半导体之部分，称为通道。原基片若为p型，则此通道称为n通道，所成之电晶体称做PMOS；原基片若为n形，则此通道称为p通道，所成之电晶体称做NMOS。金氧半电晶体，若只用源极与闸极或汲极与闸极，则因中间隔有氧化物绝缘质，即成一电容，是为金氧半电容（MOSCapacitor）。金氧半结构不仅可以做成电子电路，也可以做成记忆体。金氧半积体电路所积电路元件为数极伙，指甲大小不到之金氧半积体电路，所积电晶体数目，动辄以百万计。且因制做简单、成本低廉，而可靠度极高，耗电量又小，已引发另一次之工业革命。（中华百科郭明彦）